產品詳情介紹
CGH21120F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力而設計，這使得CGH21120F非常適合1.8-2.3GHz WCDMA和LTE放大器應用。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
特征
?1.8-2.3 GHz操作
?15 dB增益
?-35 dBc ACLR，20W路面
?20W鋪面時35%的效率
?可采用高度DPD校正
歡迎來深圳市立維創展科技有限公司官方網站！
24H服務熱線
0755-83050846 /83039348
- 首頁
- 關于我們
-
微波元器件
- AMCOM
- CUSTOM MMIC
- RF-LAMBDA
- QORVO
- MACOM
- SOUTHWEST
- NOVA射頻微波
- KRYTAR
- Aeroflex-API Tech
- Anaren
- Anritsu
- RADITEK
- North Hills
- Synergy微波
- WENTEQ
- MITEQ
- Marki
- RF-Labs
- ADI
- CREE
- UMS微波
- PULSAR微波
- MegaPhase
- JDSU光纖測試
- AMG-Microwave
- Ironwood
- Teledyne防務電子
- HEROTEK
- ARRA
- MCLI
- Leadway
- CERNEX
- Mi-Wave
- ATM Microwave(L-3)
- UTE Microwave
- NEL Frequency Controls
- API SAW Oscillators
- SemiGen
- KR Electronics
- MECA
- Electro-Photonics
- RLC Electronics
- JUPITER(Canada)
- ?IPP
- 電源模塊
- DAC | ADC芯片
- 微處理器
- 風扇
- 熱縮管
- 自研產品
- 聯系我們