Qorvo的TGA2597-SM是一款軍用雷達(dá)?封裝驅(qū)動放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25um GaN制造工藝制造。TGA2597-SM的工作頻率為2.0至6.0GHz,提供32 dBm的輸出功率,14 dB的大信號增益和31%的功率附加效率。
Qorvo的TGA2597是一款驅(qū)動放大器,采用Qorvo的TQGaN25 0.25um GaN制造工藝制造。TGA2597的工作頻率范圍為2.0至6.0 GHz,提供> 31.5 dBm的輸出功率,大信號增益> 13.5 dB,功率附加效率> 31%。
Qorvo的TGA2509是一款帶AGC的緊湊型寬帶高功率放大器。HPA的工作頻率為2 - 22 GHz,采用Qorvo經(jīng)過驗證的標(biāo)準(zhǔn)0.25 um柵極pHEMT生產(chǎn)工藝設(shè)計。該器件在1 dB增益壓縮下提供大于28.5 dBm的輸出功率,小信號增益為17 dB。
隨著新型SZM-3166Z高線性3.3-3.6 GHz 2W功率放大器的推出,Qorvo的應(yīng)用領(lǐng)先產(chǎn)品組合得到了增強。SZM-3166Z為更昂貴的基于FET的解決方案提供了經(jīng)濟高效的解決方案。SZM-3166Z只有7.5 dB的P1dB后退,提供1/2瓦特的線性功率@ 2.5%EVM,而輸出級提供15%的效率。
Qorvo的SZM-3066Z是一款高線性度3.3-3.8 GHz 2W AB類異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)功率放大器,采用低成本表面貼裝塑料Q-FlexN多芯片模塊封裝。該HBT放大器設(shè)計為3.3-3.8 GHz頻段內(nèi)ISM頻段設(shè)備的最終或驅(qū)動級,可以采用3V至6V電源供電。
Qorvo的SZA-3044是一款高效2.7-3.8 GHz 1W AB類異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)功率放大器,采用低成本表面貼裝塑料封裝。該HBT放大器設(shè)計為3.3-3.8 GHz頻段內(nèi)ISM頻段設(shè)備的最終或驅(qū)動級,可以采用3V至6V電源供電。優(yōu)化的片上阻抗匹配電路提供50歐姆標(biāo)稱RF輸入阻抗。
Qorvo的SXB4089Z放大器是一種高效率的InGaP / GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC,采用低成本,表面貼裝的塑料封裝。這些放大器專門設(shè)計用作400MHz至2500MHz蜂窩,ISM,WLL,PCS,WCDMA應(yīng)用中基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的驅(qū)動器設(shè)備。
Qorvo的SXB2089Z放大器是一款高線性度InGaP / GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC,采用低成本,可表面貼裝的塑料封裝。這些放大器專門設(shè)計用作5MHz至2500MHz蜂窩,ISM,WLL,PCS和W-CDMA應(yīng)用中基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的驅(qū)動器設(shè)備。
Qorvo的SXA389Z放大器是一種高效率GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC,采用低成本表面貼裝塑料封裝。這些HBT MMIC采用分子束外延生長技術(shù)制造,可在晶圓與晶圓之間以及批次之間產(chǎn)生可靠且一致的性能。
Qorvo的SXA389BZ放大器是一種高效GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)MMIC,采用低成本表面貼裝塑料封裝。這些HBT MMIC采用分子束外延生長技術(shù)制造,可在晶圓與晶圓之間以及批次之間產(chǎn)生可靠且一致的性能。
Qorvo的RFPA3800是一款單級GaAs HBT功率放大器,專為高功率,高效率應(yīng)用而設(shè)計。它也非常適合無線基礎(chǔ)設(shè)施線性功率放大器應(yīng)用。通過改變靜態(tài)偏置點和負(fù)載線,RFPA3800可以針對線性或飽和操作進(jìn)行優(yōu)化。
Qorvo的RFPA2545是一款寬帶GaAs HBT功率放大器,專為無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計。這款高性能單級放大器采用高度可靠的GaAs HBT技術(shù),可在寬頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)更高的增益和超高線性度。它具有出色的后退特性,是超線性應(yīng)用的理想選擇。
Qorvo的RFPA2026是一款3級HBT功率放大器模塊,具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2026能夠針對各種應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超線性驅(qū)動器放大器。用戶還可以繞過第一階段以降低增益和功耗。
QPM1002是一款氮化鎵MMIC前端模塊(FEM),專為8.5 - 10.5 GHz范圍內(nèi)的X波段雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計。MMIC結(jié)合了T / R開關(guān),低噪聲放大器和功率放大器。適合高功率國防AESA 雷達(dá)系統(tǒng)的 GaN X 頻段 FEM
QPM2637是一款氮化鎵MMIC前端模塊(FEM),專為9-10.5 GHz范圍內(nèi)的國防?X波段雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計。MMIC結(jié)合了T / R開關(guān),低噪聲放大器和功率放大器。
QPF4006是一款多功能氮化鎵MMIC前端模塊,適用于39GHz相控陣5G基站和終端。該器件結(jié)合了低噪聲高線性度LNA,低插入損耗高隔離度TR開關(guān)和高增益高效率多級PA。
Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W(P3dB)分立GaN,L 頻段1800W雙通道射頻晶體管,非常適用于IFF,航空電子設(shè)備和測試儀器。該器件可以支持CW和脈沖操作。工作頻率范圍為1.0至1.1 GHz。
QPA9120是一款寬帶,高增益,高線性度驅(qū)動放大器,QPA9120旨在用作無線基礎(chǔ)設(shè)施的前置驅(qū)動放大器,其中需要高線性度,中等射頻功率和高效直流電源操作。該器件是5G密集陣列m-MIMO無線電應(yīng)用的絕佳選擇。
QPA4501是一款集成的2級功率放大器模塊,設(shè)計用于器件輸出高達(dá)3 W RMS的5G大規(guī)模MIMO應(yīng)用。QPA4501采用Doherty最終級,為整個模塊提供高功率附加效率,平均功率高達(dá)3 W。
Qorvo的5G射頻QPB9329是一款高度集成的前端模塊,適用于TDD基站及5G大規(guī)模MIMO系統(tǒng)。開關(guān)LNA模塊在雙通道配置中集成了兩級LNA和高功率開關(guān)。第二級LNA能夠進(jìn)入旁路模式。
Doherty放大器QPB9319是一款高度集成的前端模塊,適用于TDD基站。開關(guān)LNA模塊在雙通道配置中集成了兩級LNA和高功率開關(guān)。主要應(yīng)用于5G無線基礎(chǔ)設(shè)施,5G,4.5G,5G大規(guī)模MIMO系統(tǒng) ,基于TDD的架構(gòu)基站等。
Qorvo的RFPA2016是一款3級HBT功率放大器模塊,具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2016能夠針對各種應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超線性驅(qū)動器放大器。
Qorvo的RFPA2013是一款專為無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計的單級GaAs HBT功率放大器。它以相對較低的直流功率提供超線性操作,使其成為需要高效率的下一代無線電的理想選擇。
Qorvo的RFPA1545是一款單級GaAs HBT功率放大器,專為高功率,高效率應(yīng)用而設(shè)計。它也非常適合無線基礎(chǔ)設(shè)施線性驅(qū)動放大器應(yīng)用。FPA1545可針對150MHz至1000MHz范圍內(nèi)的子頻段進(jìn)行線性或飽和操作進(jìn)行優(yōu)化。
Qorvo的RFPA1012是一款專為無線基礎(chǔ)設(shè)施高線性度應(yīng)用而設(shè)計的GaAs HBT線性功率放大器。這款高性能單級放大器采用高度可靠的GaAs HBT制造工藝,可在寬頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)超高線性度。
Qorvo的RFGA2054是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA2054的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接從5V電源工作,并提供穩(wěn)定的電流溫度和過程Beta變化。
Qorvo的RFGA2044是一款高性能InGaP HBT MMIC驅(qū)動放大器。RFGA2044的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接在5V電源下工作,并提供穩(wěn)定的電流溫度和過程Beta變化。該達(dá)林頓放大器內(nèi)部匹配至50歐姆,非常適合需要占用空間小和外部元件極少的應(yīng)用。
MACOM的MA4AGSW1A是一種鋁鎵砷單極單擲(SPST)吸收式PIN二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型AlGaAs陽極,采用MACOM專利的異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與使用傳統(tǒng)GaAs工藝制造的器件相比,AlGaAs技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更小。
MACOM的MA4AGSW1是一種鋁鎵砷單極單擲(SPST)PIN二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型Al-GaAs陽極,采用MACOM專利的異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗小于傳統(tǒng)的AlGaAs工藝。在50GHz時,可以實現(xiàn)0.3dB的插入損耗降低。
MACOM的MAATCC0011是一款具有集成TTL驅(qū)動器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長為0.5 dB,總衰減范圍為31.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAATCC0011非常適用于要求精度,速度快,功耗極低和成本低的場合。