?GTRB204402FC L波段高功率RF GaN
發(fā)布時(shí)間:2024-11-06 17:13:24 瀏覽:516
GTRB204402FC/1是CREE的一款350瓦(P3dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀功率放大器技術(shù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。GTRB204402FC具備高效率和無(wú)軸環(huán)的熱增強(qiáng)封裝。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:SiC HEMT上的高功率RF GaN 350 W,48 V,1930-2020 MHz
最低頻率(MHz):1930
最高頻率(MHz):2020
P3dB輸出功率(W):350
增益值(dB):16.3
高效率(%):58
額定電壓(V):48
封裝類別:Earless
封裝:封裝分立晶體管
技術(shù):SiC上的GaN
特征
典型的脈沖CW性能,2020 MHz,48 V,10μs脈沖寬度,10%pwm占空比,組合輸出
P3dB=350W時(shí)的輸出功率
P3dB時(shí)的高效率=65%
模特模型1C級(jí)(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
無(wú)鉛并滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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