?GTVA261802FC-V1高功率RF GaN放大器CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-10-29 17:05:16 瀏覽:629
CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D模式放大器,適用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀功率放大器技術(shù)應(yīng)用。GTVA261802FC-V1具備輸入適配、高效率和無(wú)軸環(huán)熱增強(qiáng)封裝的特性。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:SiC HEMT上的高功率RF GaN 170 W,48 V,2620-2690 MHz
最低頻率(MHz):2620
最大的頻率(MHz):2690
P3dB輸出功率(W):170
增益值(dB):16.8
高效率(%):43
額定電壓(V):48
封裝類別:Earless
封裝:封裝分立晶體管
技術(shù):SiC上的GaN
特征
?GaN-on-SiC HEMT技術(shù)
?輸入適配
?典型的脈沖CW性能,組合輸出,
2690 MHz,48 V,10μs脈沖寬度,10%pwm占空比
-P3dB=170W時(shí)的輸出功率
-P3dB時(shí)的漏極高效率=65.5%
-P3dB=15dB時(shí)的增益值
?能夠完成48 V、180 W(CW)輸出功率下10:1的VSWR
?模特模型1A級(jí)(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
?低導(dǎo)熱系數(shù)
?無(wú)鉛并滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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