一区二区欧美日韩,精品一区二区久久久久久按摩,国产一区久久久

<var id="dkajr"></var>
<var id="dkajr"></var>

<var id="dkajr"></var>

<var id="dkajr"></var><abbr id="dkajr"></abbr>

MATR-GSHC03-160150國防通信無線電寬帶晶體管芯片

發布時間：2018-09-19 17:05:51 瀏覽：1439

GaN寬帶晶體管模具

MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一種寬帶晶體管芯片，針對DC-3.5 GHz工作進行了優化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150非常適用于國防通信，陸地移動無線電，航空電子設備，無線基礎設施，ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。采用SIGANTIC®工藝制造 - 一種專有的GaN-on-Silicon技術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

如若您需要購買MATR-GSHC03-160150，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
2.5 GHz時54％的漏極效率
12 dB增益@ 2.5 GHz
28 V操作
寬帶操作DC - 3.5 GHz
適用于線性和飽和應用
活動區周邊：16毫米
100％DC測試
符合RoHS *標準
芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
出口分類：EAR99

應用
航空電子學
國防通訊
ISM應用程序
VHF / UHF / L / S波段雷達
無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備，通信，網絡，長脈沖雷達以及工業，科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN on Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現出優異的RF性能，

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: NPA1006國防無線通訊寬帶功率放大器12.5 W

<var id="kwiie"></var>

射频微波_欧美一区二区三区日韩_微波元器件_欧美一区二区三区免费看_芯片_欧美一区二区三区免费_电源模块_Raychem_立维创展