?CGHV50200衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-01-16 17:16:48 瀏覽:757
CGHV50200F是種專門(mén)設(shè)計(jì)用在高效化氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;從而使得CGHV50200F成為了對(duì)流層光學(xué)散射通訊的最佳選擇;4.4-5.0GHzC頻率段衛(wèi)星通訊應(yīng)用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。
特征
4.4–5.0GHz工作
180W常見(jiàn)PSAT
11.5dB常見(jiàn)功率增益值
48%常見(jiàn)電源效率
50Ω內(nèi)部適配
應(yīng)用領(lǐng)域
衛(wèi)星通訊
超越視線——BLOS
對(duì)流層光學(xué)散射通訊
產(chǎn)品規(guī)格
描述:200瓦;4400-5000MHz;50Ω輸入/輸出適配;氮化鎵高電子遷移率晶體管
最低頻率(MHz):4400
最高頻率(MHz):5000
最高值輸出功率(W):200
增益值(dB):11.5
工作效率(%):33
額定電壓(V):40
形式:封裝形式分立晶體管
封裝類型:法蘭盤(pán)
技術(shù)應(yīng)用:GaN-on-SiC
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