CREE GaN MMIC 功率放大器
發(fā)布時(shí)間:2022-02-25 17:22:26 瀏覽:929
CREE的CMPA0060002是氮化鎵(GaN)(HEMT)單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比更具優(yōu)越的性能指標(biāo);包括更好的擊穿電壓;飽和電子漂移速度更好,傳熱性更好。與相比Si和GaAs與晶體管相比,CREE GaN MMIC功率放大器還提供更好的功率密度和更寬的帶寬。CREE GaN MMIC功率放大器選用分布式(行波)放大器設(shè)計(jì)方法;可以在極小的空間內(nèi)保持極寬的帶寬。CREE GaN MMIC功率放大器提供帶銅鎢散熱器的裸片和旋入式封裝形式。
特征
17dB小信號(hào)增益;
3W經(jīng)典PSAT;
工作電壓高達(dá)28V;
高擊穿電壓;
高溫工作;
應(yīng)用領(lǐng)域
超寬帶放大器;
光纖驅(qū)動(dòng)器;
測(cè)試設(shè)備;
EMC放大器驅(qū)動(dòng)器;
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商,CREE產(chǎn)品包含:發(fā)光二極管芯片,照明發(fā)光二極管,背光發(fā)光二極管,功率開(kāi)關(guān)器件,無(wú)線電頻率設(shè)備和無(wú)線電設(shè)備的發(fā)光二極管。CREE憑借優(yōu)勢(shì)的供應(yīng)渠道,長(zhǎng)期備有庫(kù)存,以滿足中國(guó)市場(chǎng)的需求,歡迎咨詢。
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產(chǎn)品 SKU | 最小頻率 | 最大頻率 | 峰值輸出功率 | 獲得 | 效率 | 工作電壓 | 形式 | 包裝類型 |
CMPA0060002F1 | 直流 | 6GHz | 2 W | 18dB | 0.25 | 28 V | 封裝 MMIC | 法蘭 |
CMPA0060002D | 直流 | 6GHz | 2 W | 17dB | 0.3 | 28 V | MMIC裸片 | die |
CMPA0060002F | 直流 | 6GHz | 2 W | 17dB | 0.23 | 28 V | 封裝 MMIC | 法蘭 |
CMPA0060002F-AMP | 直流 | 6GHz | 2 W | 17dB | 不適用 | 28 V | 評(píng)估板 | 法蘭 |
CMPA0060002F1-AMP | 直流 | 6GHz | 2 W | 18dB | 不適用 | 28 V | 評(píng)估板 | 法蘭 |
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Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 設(shè)計(jì)的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器,旨在優(yōu)化窄帶和寬帶功率放大器性能。它封裝尺寸小,適合空間受限場(chǎng)景,具備 1700-6000 MHz 頻率范圍、85 瓦額定功率等性能參數(shù),接口類型多樣且表面處理可定制,廣泛應(yīng)用于信號(hào)分割/組合、天線波束形成網(wǎng)絡(luò)等多個(gè)領(lǐng)域。