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AMCOM射頻晶體管GaAs FET

發(fā)布時(shí)間：2020-09-15 15:12:31 瀏覽：1724

AMCOM砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaAs FET)是一種專(zhuān)門(mén)用于高頻、超高頻和微波射頻放大電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。AMCOM射頻晶體管GaAs FET的頻率范圍跨越電磁輻射譜，從30 MHz到紅外波段。AMCOM射頻晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產(chǎn)生的內(nèi)部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強(qiáng)的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過(guò)半導(dǎo)體材料。AMCOM射頻晶體管GaAs FET是一種耗盡器件，這意味著當(dāng)控制電極沒(méi)有電壓時(shí)，它會(huì)導(dǎo)電，當(dāng)柵極有電壓時(shí)，溝道電導(dǎo)率會(huì)降低。

在弱信號(hào)無(wú)線通信和廣播接收方面，AMCOMRF晶體管GaAs FET的性能優(yōu)于大多數(shù)其他類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一些類(lèi)型的GaAs FET也用于射頻功率放大器。GaAs FET也用于宇宙通信、射電天文學(xué)和無(wú)線電愛(ài)好者所做的實(shí)驗(yàn)。

AMCOM射頻晶體管GaAs FET具有良好的線性度。

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模型	頻率（GHz）	最大頻率（GHz）	增益（dB）	P1分貝（dBm）	IP3（dBm）	偏差（V）
AM010MH4-BI-R	直流電	3	19	31	46	-28
AM030MH4-BI-R	直流電	3	19	36	49	-28
AM006MX-QG-R	直流電	6	13	22	34	-5
AM012MX-QG-R	直流電	6	13.5	25	37	-5
AM024MX-QG-R	直流電	6	13	28	39	-5
AM036MX-QG-R	直流電	6	12	29.5	42	-5
AM048MX-QG-R	直流電	6	11	31	43	-5
AM072MX-CU-R	直流電	6	11	34	46	-7
AM100MX-CU-R	直流電	6	10	35	48	-7
AM150MX-CU-R	直流電	6	10	36.5	50	-7
AM200MX-CU-R	直流電	6	10	38	48	-7
AM300MX-CU-R	直流電	6	9	39.5	51	-7
AM005MH2-BI-R	直流電	6	15	25	40	-14
AM010MH2-BI-R	直流電	6	15	28	43	-14
AM032MH4-BI-R	直流電	6	19	36	49	-28

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