射频微波_欧美一区二区三区日韩_微波元器件_欧美一区二区三区免费看_芯片_欧美一区二区三区免费_电源模块_Raychem_立维创展

HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻器，工作頻率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信號轉換增益，以及 22 dBc 的邊帶抑制。HMC6505A 在可變增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混頻器，該混頻器由主動本地振蕩器 (LO) 驅動。提供 IF1 和 IF2 混頻器輸入，并需要采用外部 90° 混合模式選擇所需的邊帶。I/Q 混頻器拓撲結構減少了對不必要的邊帶進行過濾的需要。HMC6505A 是混合式單邊帶 (SSB) 升頻器組件的小型替代方案，它可以使用表面安裝制造技術，這消除了對引線鍵合的需要。

立維創展HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子無引線芯片載體 (LCC) 封裝，可在 ?40°C 至 +85°C 的溫度范圍內工作。HMC6505A 的評估板還可按需提供。

HMC6505A應用

• 點到點和單點對多點無線電
• 軍用雷達、電子戰 (EW) 和電子智能 (ELINT)
• 衛星通信

• 傳感器

HMC6505A優勢和特點

• 轉換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 增益最大時的輸出 P1dB 壓縮：22 dBm（典型值）
• 增益最大時的輸出 IP3：35 dBm（典型值）
• LO 到 RF 隔離：4 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔離：9 dB（典型值）
• RF 回波損耗：20 dB（典型值）
• LO 回波損耗：10 dB（典型值）
• IF 回波損耗：20 dB（典型值）
• 裸焊盤，5 mm × 5 mm，32 端子，無引線芯片載體封裝

HMC6505A結構圖